昭和电工株式会社远藤大三获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利磁传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115128519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210285742.8，技术领域涉及：G01R33/038；该发明授权磁传感器是由远藤大三;坂胁彰设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为：磁传感器1具备非磁性的基板10、和设置于基板10上的感应元件30，所述感应元件30包含饱和磁化为300emucc以上且650emucc以下的、以Co为主成分的非晶合金的软磁体层101，并且，所述感应元件30具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。
本发明授权磁传感器在权利要求书中公布了：1.磁传感器，其具备： 非磁性的基板；和设置于所述基板上的感应元件，所述感应元件包含饱和磁化为300emucc以上且550emucc以下的、以Co为主成分的非晶合金的软磁体层，并且，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，以Co为主成分的所述非晶合金是Zr为3at%、Nb为高于17at%且低于21at%、余量为Co的CoNbZr，或者是Fe为1.4at%、Si为13.8at%、Mn为3.6at%、Cr为5at%、B为9.5at%、余量为Co的CoFeCrMnSiB。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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