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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利晶体管、栅极驱动电路和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210763131.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权晶体管、栅极驱动电路和显示装置是由殷杜娟;郑浩旋设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管、栅极驱动电路和显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶体管、栅极驱动电路和显示装置。其中，晶体管包括第一绝缘层和至少一个开关区，第一功能层和第二功能层沿x方向分设于第一绝缘层的两侧；第一源极设于第一半导体层的源极区，第一漏极设于第一半导体层的漏极区；第二源极设于第二半导体层的源极区，第二源极通过穿设第一绝缘层的第一连接线与第一源极连接，第二漏极设于第二半导体层的漏极区，第二漏极通过穿设第一绝缘层的第二连接线与第一漏极连接；栅极结构分别与第一半导体层和第二半导体层相互绝缘设置，并与第一半导体层和第二半导体层的沟道区相对设置。本申请的技术方案能够减少驱动电路占据的面积，使显示面板的边框变窄，提高显示画面的大小。

本发明授权晶体管、栅极驱动电路和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，所述晶体管包括第一绝缘层，其特征在于，所述晶体管还包括至少一个开关区，所述开关区包括栅极结构、第一功能层和第二功能层，所述第一绝缘层的厚度方向为x方向，所述第一功能层和所述第二功能层沿x方向分设于所述第一绝缘层的两侧； 所述第一功能层包括第一半导体层、第一源极和第一漏极，所述第一源极设于所述第一半导体层的源极区，所述第一漏极设于所述第一半导体层的漏极区； 所述第二功能层包括第二半导体层、第二源极和第二漏极，所述第二源极设于所述第二半导体层的源极区，所述第二源极通过穿设所述第一绝缘层的第一连接线与所述第一源极连接，所述第二漏极设于所述第二半导体层的漏极区，所述第二漏极通过穿设所述第一绝缘层的第二连接线与所述第一漏极连接； 所述栅极结构分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层相互绝缘设置，并与所述第一半导体层和所述第二半导体层的沟道区相对设置； 所述栅极结构还包括两层栅极层，一层所述栅极层设于所述第一半导体层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第一半导体层设于所述第一源极和所述第一漏极远离所述第一绝缘层的一侧，另一所述栅极层设于所述第二半导体层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第二半导体层设于所述第二源极和所述第二漏极远离所述第一绝缘层的一侧； 所述晶体管还包括金属屏蔽层，所述金属屏蔽层位于所述第一绝缘层内，且覆盖所述栅极层在所述第一绝缘层的正投影位置； 所述开关区设置有多个，所述金属屏蔽层包括多个屏蔽段，每一所述开关区对应设置一所述屏蔽段； 以z方向穿过所述金属屏蔽层的中心为对称线，所述第一功能层和所述第二功能层对称设置；其中，定义与所述x方向垂直的方向为y方向，定义与所述x方向和y方向均垂直的方向为z方向。

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