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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110323447.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法是由吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法。所述制备方法在ICP刻蚀前先制作第一掩膜和第二掩膜，使得在ICP刻蚀形成切割道的过程中，只需要进行一次刻蚀，但是达到现有技术二次刻蚀的效果，简化了制备工艺，相较于现有制备方法的周期20～25h，本发明的制备方法只需要10～14h，极大地提高了生产效率，同时由于不需要多次光刻和腐蚀，使得产品合格率达到了95％以上。

本发明授权一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法，所述高亮反极性AlGaInP发光二极管由下自上依次包括永久衬底欧姆接触电极、永久衬底、反射镜、介质膜和P型欧姆接触层、P‑GaP欧姆接触层、P‑AlGaInP电流扩展层、P‑AlInP限制层、MQW多量子阱层、N‑AIInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、N‑AlGaInP粗化层、N‑GaAs欧姆接触层、N面电极，其特征在于，包括步骤如下： 1采用MOCVD方法，在n‑GaAs临时衬底上依次生长N‑GaAs缓冲层、N‑GalnP阻挡层、N‑GaAs欧姆接触层、N‑AlGaInP粗化层、N‑AlGaInP电流扩展层、N‑AlInP限制层、MQW多量子阱层、P‑AlInP限制层、P‑AlGaInP电流扩展层和P‑GaP欧姆接触层； 2在步骤1的外延片上蒸镀介质膜，然后通过光刻、蒸镀、腐蚀、剥离工艺形成P型欧姆接触层； 3在步骤2所得晶圆的表面蒸镀反射镜； 4将步骤3的晶圆与永久衬底进行键合； 5去除键合后晶圆的n‑GaAs临时衬底和N‑GaInP阻挡层； 6腐蚀掉电极以外区域的N‑GaAs欧姆接触层，然后进行粗化处理； 7在步骤6保留的N‑GaAs欧姆接触层上蒸镀N面电极，并通过合金工艺形成欧姆接触； 8在步骤7所述晶圆的表面上蒸镀第一掩膜，通过光刻工艺得到规则图形后去胶； 其中，所述第一掩膜为SiO2、SiNx或Ti之一，厚度为3000~15000埃； 9在第一掩膜上通过光刻工艺制作第二掩膜； 其中，所述第二掩膜为光刻胶，厚度为＞3μm； 10使用ICP刻蚀形成切割道，然后先去除第二掩膜，再去除第一掩膜； 其中，所述ICP刻蚀的参数为RF功率400W、ICP功率700W、压力6mT、温度20℃、氯气60sccm、三氯化硼20sccm；在形成切割道过程中，第一掩膜刻蚀深度比P‑GaP欧姆接触层厚度大0.2~0.4μm； 11将永久衬底减薄，然后蒸镀欧姆接触金属并合金，形成永久衬底欧姆接触电极； 12采用激光划片、金刚刀切割方式得到发光二极管。

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