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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利灵敏放大器和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210760169.1，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权灵敏放大器和半导体存储器是由苏信政设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本灵敏放大器和半导体存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种灵敏放大器和半导体存储器，包括：写入模块，用于在写入阶段根据写入数据驱动位线和互补位线；放大模块，与位线和互补位线连接，用于放大位线和互补位线之间的电压差；电源模块，与放大模块的第一端连接，用于在写入阶段根据放大模块的温度数据向放大模块提供电源电压，控制写入模块内晶体管驱动能力与放大模块内晶体管驱动能力的比值在预设比值范围内，保证在写入阶段的初期，写入模块内的晶体管可以将位线和互补位线的电压驱动到反转点电压，准确写入数据，也可以有效缩短恢复时间，降低功率损耗。

本发明授权灵敏放大器和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括： 写入模块，用于在写入阶段根据写入数据驱动位线和互补位线； 放大模块，与所述位线和互补位线连接，用于放大所述位线和所述互补位线之间的电压差； 电源模块，与所述放大模块的第一端连接，用于在所述写入阶段根据所述放大模块的温度数据向所述放大模块提供电源电压，控制所述写入模块内晶体管驱动能力与所述放大模块内晶体管驱动能力的比值在预设比值范围内；控制所述写入模块在写入数据与存储单元中存储数据不同时，在所述写入阶段根据写入数据驱动位线和互补位线的电压达到反转点电压; 所述电源模块包括： 电压控制单元，其包括第一输出端，用于根据所述放大模块的温度数据和列选择信号生成第一控制信号； 降压单元，其控制端与所述电压控制单元的第一输出端连接，用于在第一控制信号的控制下对第一电源端的电压进行降压处理后输出所述电源电压; 所述电压控制单元包括多个第一输出端，所述第一控制信号包括多个第一控制子信号，所述降压单元包括： 多个降压子单元，每个降压子单元的控制端连接对应的所述电压控制单元的第一输出端，每个所述降压子单元用于在对应的第一控制子信号为有效值时对第一电源端的电压进行降压处理后输出所述电源电压； 其中，所述多个第一控制子信号中仅一个第一控制子信号为有效值; 其中，每个降压子单元包括第一N型晶体管； 所述第一N型晶体管，其控制端连接对应的所述电压控制单元的第一输出端，其第一端连接所述第一电源端，其第二端连接所述放大模块的第一端；每个所述第一N型晶体管的阈值电压不同。

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