长鑫存储技术有限公司史丹丹获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利芯片测试方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115171767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210785358.4，技术领域涉及：G11C29/10；该发明授权芯片测试方法、装置、设备及介质是由史丹丹设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片测试方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片测试方法、装置、设备及介质，包括：提供第一测试激励，根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点；其中，所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下仿真不同时间后的各公共状态信息；根据所述激励时间点，确定所述第一测试激励的起始时间点；加载所述第一测试激励对应的公共状态信息至所述芯片；提供所述起始时间点后的所述第一测试激励对所述芯片进行仿真。本方案能够提高芯片测试效率。
本发明授权芯片测试方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括： 提供第一测试激励，根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点；其中，所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下仿真不同时间后的各公共状态信息； 根据所述激励时间点，确定所述第一测试激励的起始时间点； 加载所述第一测试激励对应的公共状态信息至所述芯片； 提供所述起始时间点后的所述第一测试激励对所述芯片进行仿真； 所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点，具体包括： 当需要进行所述第一测试激励的仿真时，先确定所述第一测试激励的测试属性，并从公共状态表中确定出与所述测试属性一致的公共状态信息，即第一测试激励对应的公共状态信息；其中，所述测试属性包括以下至少一项：激励频率、工艺角以及测试功能； 根据第一测试激励对应的公共状态信息，确定所述第一测试激励对应的激励时间点； 其中，所述公共状态信息是芯片在不同所述测试属性的测试激励下仿真一定时间建立的，并且所述公共状态信息用于表征芯片在某个时刻下的状态。
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