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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利氮化铝模板的制备方法和氮化铝模板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210644328.1，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权氮化铝模板的制备方法和氮化铝模板是由吴先民;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化铝模板的制备方法和氮化铝模板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化铝模板的制备方法和氮化铝模板，氮化铝模板的制备方法包括步骤：对原衬底进行预设温度清洗处理；在原衬底上进行铺铝，氨化后形成氮化铝形核层；在氮化铝形核层上外延生长非故意掺杂氮化铝外延层，其中，所述非故意掺杂氮化铝外延层的厚度为0～2um；在非故意掺杂氮化铝外延层上进行图形化处理，形成所需图案的氮化铝模板。本申请通过上述方案解决后续氮化物外延生长与衬底之间巨大的应力差造成生长材料晶体质量不高的问题。

本发明授权氮化铝模板的制备方法和氮化铝模板在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝模板的制备方法，其特征在于，包括步骤： 对原衬底进行预设温度清洗处理； 在原衬底上进行铺铝，氨化后形成氮化铝形核层； 在氮化铝形核层上外延生长非故意掺杂氮化铝外延层，其中，所述非故意掺杂氮化铝外延层的厚度为0um至2um； 在非故意掺杂氮化铝外延层上进行图形化处理，形成所需图案的氮化铝模板； 所述在非故意掺杂氮化铝外延层上进行图形化处理，形成所需图案的氮化铝模板的步骤中包括： 对非故意掺杂氮化铝外延层进行刻蚀； 实时检测被刻蚀的膜层的折射率，在该膜层折射率持续变化时，继续进行刻蚀，在膜层折射率不再变化时，则停止刻蚀； 其中，所述氮化铝形核层从所述刻蚀位置处裸露； 所述对原衬底进行预设温度清洗处理的步骤中预设温度为1100℃~1200℃； 所述在原衬底上进行铺铝，氨化后形成氮化铝形核层的步骤中包括： 将原衬底的温度快速下降至900℃~960℃，反应室的气压控制在50mbar‑80mbar； 先向反应室通入三甲基铝，再同时通入氨气和三甲基铝，在原衬底上生长氮化铝形核层； 所述在氮化铝形核层上外延生长非故意掺杂氮化铝外延层的步骤中包括： 将原衬底的温度升高至1100℃‑1250℃，反应室的气压控制在20mbar‑40mbar； 在氮化铝形核层上在非故意掺杂的情况下生长氮化铝材料； 在生长氮化铝材料的过程中逐渐升高温度，使氮化铝材料由三维生长逐渐转为二维生长，形成非故意掺杂氮化铝外延层。

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