长鑫存储技术有限公司李佳兴获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利缺陷检测方法、装置、计算机可读存储介质与电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115187564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210872138.5，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权缺陷检测方法、装置、计算机可读存储介质与电子设备是由李佳兴设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷检测方法、装置、计算机可读存储介质与电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种缺陷检测方法与装置、计算机可读存储介质与电子设备，涉及半导体技术领域。该缺陷检测方法包括：从待测晶圆中选择多个晶粒作为样本晶粒；其中，所述待测晶圆中包含多个晶粒；以像素为单位，确定多个所述样本晶粒的相同区域内位置点的灰阶中位数；设定至少一个参考晶粒；其中，以像素为单位，所述参考晶粒的对应相同位置点的灰阶值为所述灰阶中位数；将所述参考晶粒与所述待测晶圆中的各晶粒进行一一比对，根据比对结果确定所述待测晶圆中各晶粒是否存在缺陷。解决了目前的缺陷检测方法效果较差的技术问题，提高了缺陷检测效果。
本发明授权缺陷检测方法、装置、计算机可读存储介质与电子设备在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括： 从待测晶圆中选择多个晶粒作为样本晶粒；其中，所述待测晶圆中包含多个晶粒； 以像素为单位，确定多个所述样本晶粒的相同区域内位置点的灰阶中位数； 设定至少一个参考晶粒，包括：获取所述待测晶圆中各晶粒的预设结构参数；基于所述预设结构参数与所述灰阶中位数构建至少一个所述参考晶粒；其中，所述预设结构参数为所述待测晶圆中各晶粒预先设计的结构参数，所述结构参数包括关键尺寸参数和位置坐标参数；以像素为单位，所述参考晶粒的对应相同位置点的灰阶值为所述灰阶中位数； 将所述参考晶粒与所述待测晶圆中的各晶粒进行一一比对，根据比对结果确定所述待测晶圆中各晶粒是否存在缺陷。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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