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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利芯片测试方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115219880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210827547.3，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权芯片测试方法、装置、设备及介质是由康经纬设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片测试方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片测试方法、装置、设备及介质，涉及芯片技术领域。该方法包括：获取目标测试工艺对待测芯片的输出特性的预估偏移量，其中，目标测试工艺为对待测芯片的输出特性产生影响的芯片测试工艺；利用与预估偏移量对应的目标芯片熔断方案，对待测芯片的输出特性进行调整，以使特性调整后的待测芯片的输出特性的实际输出值相较于输出特性的标准值存在与预估偏移量对应的偏移补偿量，偏移补偿量与预估偏移量的偏移方向相反，其中，偏移补偿量用于对特性调整后的待测芯片在目标测试工艺过程中产生的实际输出特征偏移量进行补偿。根据本申请实施例，能够对芯片输出特性进行准确优化。

本发明授权芯片测试方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括： 获取目标测试工艺对待测芯片的输出特性的预估偏移量，其中，所述目标测试工艺为对所述待测芯片的输出特性产生影响的芯片测试工艺； 利用与所述预估偏移量对应的目标芯片熔断方案，对所述待测芯片的输出特性进行调整，以使特性调整后的待测芯片的输出特性的实际输出值相较于输出特性的标准值存在与所述预估偏移量对应的偏移补偿量，所述偏移补偿量与所述预估偏移量的偏移方向相反，其中，所述偏移补偿量用于对所述特性调整后的待测芯片在所述目标测试工艺过程中产生的实际输出特征偏移量进行补偿； 所述获取目标测试工艺对待测芯片的输出特性的预估偏移量，包括： 获取多个历史输出特性偏移数据，其中，各历史输出特性偏移数据用于反映一个参考芯片的输出特性在目标测试工艺执行前后的变化量； 根据所述多个历史输出特性数据，确定所述预估偏移量； 所述参考芯片的时钟信号包括第一时钟子信号以及第二时钟子信号，每一历史输出特性偏移数据包括所对应的参考芯片的第一时钟子信号的占空比偏移量以及第二时钟子信号的占空比偏移量； 所述根据所述多个历史输出特性数据，确定所述预估偏移量，包括： 根据多个历史输出特性偏移数据中的第一时钟子信号的占空比偏移量，确定所述第一时钟子信号的占空比偏移量均值； 根据多个历史输出特性偏移数据中的第二时钟子信号的占空比偏移量，确定所述第二时钟子信号的占空比偏移量均值； 计算所述第一时钟子信号的占空比偏移量均值与所述第二时钟子信号的占空比偏移量均值的差值，得到所述预估偏移量； 所述根据多个历史输出特性偏移数据中的第一时钟子信号的占空比偏移量，计算所述第一时钟子信号的占空比偏移量均值，包括： 对所述多个历史输出特性偏移数据中的第一时钟子信号的占空比偏移量进行正态分布统计，统计得到所述第一时钟子信号的占空比偏移量均值； 和或，所述根据多个历史输出特性偏移数据中的第二时钟子信号的占空比偏移量，计算所述第二时钟子信号的占空比偏移量均值，包括： 对所述多个历史输出特性偏移数据中的第二时钟子信号的占空比偏移量进行正态分布统计，统计得到所述第二时钟子信号的占空比偏移量均值。

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