西安电子科技大学张鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210769785.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法是由张鹏;李苗;朱青;马晓华;刘加志设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法，包括：选取半导体层；在半导体层上制备具有栅脚区的第一光刻胶层；在第一光刻胶层和栅脚区上制备金属层；在金属层上制备具有栅帽区的第二光刻胶层，栅帽区通过光刻曝光显影出金属层；在栅帽区制备栅帽；去除第二光刻胶层；去除栅帽两侧位于第一光刻胶层上的金属层；去除第一光刻胶层，以制备T型栅结构。本发明采用薄胶，不仅提高了光刻分辨率，而且可以做出尺寸更小的栅脚。尺寸小的栅极可以使器件频率得到大幅度的提升，满足器件在毫米波以上频段的使用。
本发明授权一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法，其特征在于，所述浮空T型栅的制作方法包括： 选取半导体层； 在所述半导体层上制备具有栅脚区的第一光刻胶层，所述栅脚区暴露所述半导体层； 在所述第一光刻胶层和所述栅脚区上制备金属层； 在所述金属层上制备具有栅帽区的第二光刻胶层，所述栅帽区通过光刻曝光显影出所述金属层，所述第二光刻胶层的烘烤温度低于所述第一光刻胶层的烘烤温度，且所述第二光刻胶层的烘烤温度与所述第一光刻胶层的烘烤温度的温度差在20摄氏度以上； 在所述栅帽区制备栅帽，通过电镀工艺在所述栅帽区制备栅帽； 去除所述第二光刻胶层，使用丙酮和乙醇清洗去除所述第二光刻胶层，并进行吹干处理； 去除所述栅帽两侧位于所述第一光刻胶层上的金属层； 去除所述第一光刻胶层，以制备T型栅结构；使用超声清洗去除所述第一光刻胶层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励