苏州华太电子技术股份有限公司莫海锋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利图形化布局的夹层氧化层晶圆及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110672374.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权图形化布局的夹层氧化层晶圆及其制作方法是由莫海锋设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形化布局的夹层氧化层晶圆及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图形化布局的夹层氧化层晶圆及其制作方法。所述制作方法包括：提供外延结构，并在所述硅外延层上形成第一保护层，其中，所述外延结构包括依次叠设的硅衬底、氧化硅绝缘层和硅外延层；在所述第一保护层上设置掩模，并在未被掩模覆盖的区域刻蚀形成一个以上凹孔，所述凹孔沿厚度方向连续贯穿所述第一保护层、硅外延层并延伸至氧化硅绝缘层内；在所述凹孔的侧壁形成第二保护层；刻蚀除去所述凹孔底部剩余的氧化硅绝缘层；在所述凹孔内形成硅层，以及，除去所述第一保护层和第二保护层。本发明能够获得质量更好的图形化SOI衬底，避免了其他工艺在硅衬底和绝缘层界面所引入的杂质缺陷，能够保证绝缘层上硅外延层的质量更好。
本发明授权图形化布局的夹层氧化层晶圆及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化布局的夹层氧化层晶圆的制作方法，其特征在于包括： 1提供外延结构，并在所述外延结构上形成第一保护层，其中，所述外延结构包括依次叠设的硅衬底、氧化硅绝缘层和硅外延层，所述第一保护层设置在硅外延层上； 2在所述第一保护层上设置掩模，并在未被掩模覆盖的区域刻蚀形成一个以上凹孔，所述凹孔沿厚度方向连续贯穿所述第一保护层、硅外延层并延伸至氧化硅绝缘层内； 3在所述凹孔的侧壁形成第二保护层，所述第二保护层至少覆盖所述硅外延层，所述第二保护层的材质包括氧化硅； 4刻蚀除去所述凹孔底部剩余的氧化硅绝缘层，并使所述硅衬底自所述凹孔内露出； 5在所述凹孔内形成硅层，并使所述硅层与所述硅衬底、硅外延层电连接，以及，除去所述第一保护层和第二保护层。
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