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龙图腾网获悉广西科技大学申请的专利一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210988070.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法是由余志强;陈诚;镇丹;谢泉;高廷红;肖清泉;陈茜;刘宝生;徐佳敏;韩旭;曲信儒设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法，该器件阻变层由二元金属氧化物ZnO构成，底电极由ITO构成，金属顶电极由W构成，其中，器件的ZnO薄膜阻变层采用操作简单、高效的匀胶法工艺制备，而器件的顶电极则通过磁控溅射镀膜技术设计。本发明在器件架构物理层面，在不额外引入串联整流器件、非线性电阻的情况下，忆阻器可以有效克服串扰电流对器件稳定性的不利影响，在器件的高密度三维集成方面具有重要的应用潜力。在器件性能层面，通过对外加物理场的有序调控可以实现单个器件存储单元多阻态的高密度存储，具有高稳定性与非易失性的自整流多值阻变存储特性，在下一代非易失性高密度存储器方面具有重要的应用前景。

本发明授权一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自整流ZnO薄膜忆阻器，包括： 阻变层，底电极，金属顶电极； 阻变层由二元金属氧化物ZnO构成，底电极由ITO构成，金属顶电极由W构成； 阻变层采用匀胶法制得，厚度为60~150nm； 顶电极由磁控溅射镀膜技术制得；其特征在于： 该自整流ZnO薄膜忆阻器由如下方法制得，包括： 1将0.5mM二水乙酸锌、20mL异丙醇、600μL乙醇胺混合后磁力搅拌，得ZnO前驱体溶液备用； 2吸取适量ZnO前驱体溶液至ITO玻璃片上，使匀胶形成均匀的ZnO前驱体薄膜，随后将薄膜干燥5~20min，重复匀胶步骤至薄膜厚度达到需求，得到ITO匀胶样品； 3将ITO匀胶样品干燥后放入马弗炉中退火，退火温度为350~700℃，时间为5~20min； 待自然冷却至室温后取出，得到一次退火后的ZnO薄膜样品，备用； 4再次吸取适量步骤1中的ZnO前驱体溶液至一次退火后的ZnO薄膜样品上，使匀胶形成均匀的薄膜，随后将薄膜干燥5~20min，重复匀胶步骤至薄膜厚度达到需求，得到二次匀胶样品； 5将二次匀胶样品干燥后放入马弗炉中进行退火，温度为350~700℃，时间为5~20min，待自然冷却至室温后取出，得到二次退火后的ZnO薄膜样品； 6将二次退火后的ZnO薄膜样品取出，自然冷却至室温后用去离子水冲洗干净，自然晾干，得到工艺要求的ZnO薄膜样品； 7采用金属掩膜板磁控溅射镀膜技术在步骤6中的ZnO薄膜样品表面溅射沉积顶电极，即得一种自整流ZnO薄膜忆阻器。

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