西安电子科技大学何艳静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210808416.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法是由何艳静;毛雪妮;汤晓燕;袁昊;宋庆文;弓小武;张玉明设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧；间隔排布的第一注入区和第二注入区，分别位于外延层背离衬底的一侧；多晶硅层，位于第一注入区与第二注入区之间，且位于外延层背离衬底的一侧，多晶硅层与外延层之间为异质结接触；源极，位于第一注入区、第二注入区和多晶硅层背离衬底的一侧，且源极至少部分覆盖第一注入区、第二注入区和多晶硅层。本申请能够减小了开关的损耗，提高了器件的能量转化效率。
本发明授权集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成HJD的碳化硅UMOSFET器件的制备方法，其特征在于，该制备方法包括： 提供衬底； 在所述衬底的一侧采用外延生长的方式形成外延层； 在所述外延层背离所述衬底的一侧的表面进行离子注入，形成P‑base区； 在所述P‑base区背离所述衬底的一侧的表面进行离子注入，形成N+注入区； 在所述外延层背离所述衬底的一侧的表面进行离子注入，形成间隔排布的第一注入区和第二注入区； 在所述第一注入区和所述第二注入区之间进行刻槽，形成第一沟槽；同时，在所述第一注入区与所述P‑base之间进行刻槽，形成第二沟槽；且所述第二沟槽挖掉至少部分所述第一注入区； 在所述第一沟槽内沉积多晶硅层；在所述第二沟槽内依次形成栅介质层和栅极； 在所述第一注入区、所述第二注入区和所述多晶硅层背离所述衬底的一侧沉积源极，以及在所述第一注入区和所述第二注入区的部分侧面沉积源极，在部分所述N+注入区背离所述衬底的一侧沉积源极。
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