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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利具有体接触的竖直型半导体器件及其制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211015632.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有体接触的竖直型半导体器件及其制造方法及电子设备是由朱慧珑设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有体接触的竖直型半导体器件及其制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：公开了一种具有体接触的竖直型半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，该半导体器件可以包括：衬底上相对于衬底竖直设置的有源区，包括下源漏区、上源漏区以及下源漏区与上源漏区之间用以限定沟道区的中部；栅堆叠，设置在有源区在相对于衬底的横向方向上的第一侧，以至少与有源区的中部相交叠；以及体接触层，设置在有源区在横向方向上与第一侧相反的第二侧，以与有源区的中部相交叠，以向有源区施加体偏置，其中，在相对于衬底的竖直方向上，有源区的中部与体接触层相交叠的部分距下源漏区第一间隔距离，且距上源漏区第二间隔距离。

本发明授权具有体接触的竖直型半导体器件及其制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底上相对于所述衬底竖直设置的有源区，包括下源漏区、上源漏区以及下源漏区与上源漏区之间用以限定沟道区的中部； 栅堆叠，设置在所述有源区在相对于所述衬底的横向方向上的第一侧，以至少与所述有源区的中部相交叠； 体接触层，设置在所述有源区在所述横向方向上与所述第一侧相反的第二侧，以与所述有源区的中部相交叠，以向所述有源区施加体偏置； 到所述体接触层的体接触部，用于接收所述体偏置，其中，所述体接触层在所述横向方向上远离所述有源区延伸，所述体接触部与所述体接触层相接触； 上源漏区接触层，设置在所述有源区在所述横向方向上的所述第二侧，以与所述上源漏区相接触；以及上源漏区接触部，着接于所述上源漏区接触层上，其中，在相对于所述衬底的竖直方向上，所述有源区的中部与所述体接触层相交叠的部分距所述下源漏区第一间隔距离，且距所述上源漏区第二间隔距离，其中，所述有源区由单晶的半导体层限定，所述半导体层包括在竖直方向上延伸用以提供所述有源区的竖直延伸部分以及从所述竖直延伸部分的下端在所述第一侧延伸的横向延伸部分，所述半导体器件还包括： 到所述下源漏区的下源漏区接触部，着接于所述半导体层的横向延伸部分上； 下源漏区限定层，从所述半导体层的所述横向延伸部分下方延伸至所述半导体层在所述第二侧的表面上。

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