北京大学深圳研究生院张盛东获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210966469.5，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法是由张盛东;刘豪;黄腾艳;程俊金;廖聪维设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光电探测晶体管，包括从下至上依次堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、与所述有源层局部接触的源漏电极、钝化层；其中所述有源层包括本征氢化非晶硅，在与所述源漏电极接触的区域所述有源层还包括重掺杂氢化非晶硅。本申请还公开了相应的光电探测像素电路以及光电探测器及其制造。
本发明授权光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测像素电路，包括开关晶体管，包括从下至上依次堆叠的衬底、第一底栅电极、第一底栅介质层、第一有源层、与所述第一有源层局部接触的第一源漏电极、第一钝化层；以及光电探测晶体管，耦合到所述开关晶体管，包括从下至上依次堆叠的、均位于所述第一钝化层上方的第二底栅电极、第二底栅介质层、第二有源层、与所述第二有源层局部接触的第二源漏电极、第二钝化层，其中所述第二有源层包括本征氢化非晶硅，在与所述第二源漏电极接触的区域所述第二有源层还包括重掺杂氢化非晶硅；所述第一有源层的迁移率高于所述第二有源层的迁移率。
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