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龙图腾网获悉广西科技大学申请的专利一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210991849.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法是由余志强;陈诚;镇丹;谢泉;肖清泉;高廷红;陈茜;张喨;韩旭;徐佳敏;曲信儒设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法。该器件结构包括：采用溶胶‑凝胶法制备的ZnO薄膜中间阻变层，FTO作为器件底电极，以及采用磁控溅射镀膜技术沉积的电极层构成器件的上电极。本器件的自整流特性能够很好的解决三维阵列中出现的漏电流问题，同时也避免了器件附加额外整流器件造成高成本、结构复杂及不能实现微型化等问题，对于忆阻器高密度多值存储的实现提供了一种简单、高效的解决方案。本ZnO薄膜忆阻器采用WZnOFTO器件结构，通过有序调控器件的限制电流，实现了器件非易失性自整流多值存储的可控调制，在下一代非易失性高密度存储器的应用方面具有重要的发展前景。

本发明授权一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性的ZnO薄膜忆阻器，包括： 阻变层、底电极以及上电极； 阻变层为采用溶胶‑凝胶法制备得到的厚度为50~100nm的ZnO薄膜中间阻变层； 底电极为FTO； 上电极选自金属钨； 上电极为采用磁控溅射镀膜技术沉积的电极层；其中： 该非易失性ZnO薄膜忆阻器由如下方法制得： 1将1.5mM二水乙酸锌加入到20mL乙二醇甲醚混合配制0.075molL的溶液，之后加入600 μL乙醇胺作为稳定剂，磁力搅拌得到ZnO前驱体溶液； 2吸取ZnO前驱体溶液至FTO玻璃片上，匀胶形成均匀的ZnO前驱体薄膜，将旋涂好的薄膜样品干燥5~10min，重复上述匀胶步骤，直至薄膜厚度达到实验需求的样品； 3将步骤2中的样品干燥后放入马弗炉中快速退火，退火温度为500~800℃，时间为5~15min，待其自然冷却至室温后取出，得到表面均匀的ZnO薄膜样品； 4采用金属掩膜板磁控溅射镀膜技术在步骤3中制备的ZnO薄膜样品表面溅射沉积上电极，即得一种非易失性ZnO薄膜忆阻器。

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