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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电荷位置确定方法及装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115356612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211086267.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权电荷位置确定方法及装置、电子设备和存储介质是由杨杰设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本电荷位置确定方法及装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种电荷位置确定方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域。该方法包括：配置作用于目标器件的至少一测量条件；确定目标器件在每个测量条件下对应的目标平带电压；获取预先配置的电压距离关联规则；电压距离关联规则包括电荷位置与平带电压之间的关联关系；基于电压距离关联规则与至少一目标平带电压，确定目标器件中的移动电荷在目标器件中的电荷位置。本公开可以快速确定出移动例子电荷在栅氧化层中的电荷位置，并对半导体器件的器件阈值电压进行分析。

本发明授权电荷位置确定方法及装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种电荷位置确定方法，其特征在于，包括： 配置作用于目标器件的至少一测量条件； 确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压； 获取预先配置的电压距离关联规则；所述电压距离关联规则包括电荷位置与平带电压之间的关联关系； 基于所述电压距离关联规则与至少一所述目标平带电压，确定所述目标器件中的移动电荷在所述目标器件中的电荷位置； 其中，所述目标平带电压包括基准平带电压、第一目标平带电压与第二目标平带电压； 所述基于所述电压距离关联规则与至少一所述目标平带电压，确定所述目标器件中的移动电荷在所述目标器件中的电荷位置，包括： 确定所述目标器件中栅氧化层的栅氧化层厚度； 根据所述栅氧化层厚度、所述基准平带电压、所述第一目标平带电压与所述第二目标平带电压，结合所述电压距离关联规则确定所述移动电荷的电荷位置； 所述电压距离关联规则如公式2所示： 公式2其中，Baseline1是所述目标器件的所述第一目标平带电压；Baseline2是所述目标器件的所述第二目标平带电压；VFB是所述目标器件的所述基准平带电压；dox表示所述目标器件的所述栅氧化层厚度。

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