南方科技大学曾晓宏获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种氢气等离子体调控β-氧化镓表面能带弯曲的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211034916.X，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种氢气等离子体调控β-氧化镓表面能带弯曲的方法是由曾晓宏;李政成;伍莹;何高航;丁孙安;冯博渊设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氢气等离子体调控β-氧化镓表面能带弯曲的方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种氢气等离子体调控β‑氧化镓表面能带弯曲的方法，通过在真空下对所述β‑Ga22O33进行解理，研究本征的β‑Ga22O33的能带情况；同时，所述氢气等离子体调控β‑氧化镓表面能带弯曲的方法的H22Plasma处理和真空退火处理RTA都是基于超高真空条件下的，并且通过真空转移装置转移到各项表征设备中，维持了样品表面原子层级的干净，有效避免了在处理和转移过程中杂质的干扰；同时，通过H22等离子体处理能够降低原始能带弯曲，然后通过快速退火处理能够将能带弯曲恢复到未进行H22等离子体处理的状态，此时还可继续通过O22气氛退火进一步补充氧空位，调节能带弯曲。
本发明授权一种氢气等离子体调控β-氧化镓表面能带弯曲的方法在权利要求书中公布了：1.一种氢气等离子体调控β‑氧化镓表面能带弯曲的方法，其特征在于，包括步骤： 将所述β‑Ga2O3放置在真空条件下的Plasma处理腔室中，进行氢气等离子体处理，得到H原子修饰的β‑Ga2O3，实现对β‑Ga2O3表面能带弯曲的调控； 将所述H原子修饰的β‑Ga2O3通过真空转移装置传送到退火炉中进行真空退火处理，实现对调控的β‑Ga2O3表面能带弯曲的恢复； 所述真空退火处理后，还包括步骤：将所述β‑Ga2O3在氧气氛围下进行氧气退火处理，补充氧空位，调节所述β‑Ga2O3的表面能带弯曲； 所述氢气等离子体处理的Plasma功率为5~450W，处理时间为5~60min；所述真空退火处理的温度为400~1100℃，所述真空退火处理的时间为1~2h；所述氧气退火处理的温度为400~1000℃，所述氧气退火处理的时间为0.5~1.5h。
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