国际商业机器公司谢瑞龙获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有不对称栅极叠置体的纳米片晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029160.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有不对称栅极叠置体的纳米片晶体管是由谢瑞龙;C·雷登斯;程慷果;李俊涛;郭德超;李桃;康宗圣设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有不对称栅极叠置体的纳米片晶体管在说明书摘要公布了：公开了具有不对称栅极叠置体的纳米片器件的方法和所得结构。在衬底104上形成纳米片叠置体102。该纳米片叠置体102包括交替的半导体层108和牺牲层110。牺牲衬层202形成在纳米片叠置体102上，并且电介质栅极结构204形成在纳米片叠置体102上和牺牲衬层202上。在牺牲层110的侧壁上形成第一内间隔物302。在纳米片叠置体102的沟道区上形成栅极112。栅极112包括在与纳米片叠置体102正交的方向上在衬底104上延伸的导电桥。在栅极112的侧壁上形成第二内间隔物902。第一内间隔物302在栅极112叠置体之前形成，而第二内间隔物902在栅极叠置体之后形成，因此，栅极112叠置体是不对称的。
本发明授权具有不对称栅极叠置体的纳米片晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上形成纳米片叠置体，所述纳米片叠置体包括交替的半导体层和牺牲层； 在纳米片叠置体上形成牺牲衬层； 在所述纳米片叠置体和所述牺牲衬层上形成电介质栅极结构； 在牺牲层的侧壁上形成第一内间隔物； 在纳米片叠置体的沟道区上形成栅极，所述栅极包括在与纳米片叠置体正交的方向上在衬底上延伸的导电桥；以及在栅极的侧壁上形成第二内间隔物，其中，形成所述栅极进一步包括形成栅极电介质，其中，所述栅极电介质在所述第一内间隔物与所述栅极之间延伸，但不在所述第二内间隔物与所述栅极之间延伸。
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