长鑫存储技术有限公司常小卫获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、版图结构以及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115422880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211157022.X，技术领域涉及：G06F30/3947；该发明授权半导体结构、版图结构以及存储器是由常小卫设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、版图结构以及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构、版图结构以及存储器，该半导体结构包括：多个存储单元阵列，所述存储单元阵列沿第一方向并列排布；沿所述第一方向并列排布的多个读写控制电路，位于所述存储单元阵列在第二方向上的一侧且每一所述读写控制电路通过第一数据线连接对应的一个所述存储单元阵列，所述读写控制电路用于控制向所述存储单元阵列写入或读出数据，所述第二方向垂直于所述第一方向；校验电路，所述校验电路位于所述读写控制电路远离所述存储单元阵列的一侧且所述校验电路通过第二数据线连接所述读写控制电路，所述校验电路用于对所述数据进行校验。
本发明授权半导体结构、版图结构以及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个存储单元阵列，所述存储单元阵列沿第一方向并列排布； 沿所述第一方向并列排布的多个读写控制电路，位于所述存储单元阵列在第二方向上的一侧且每一所述读写控制电路通过第一数据线连接对应的一个所述存储单元阵列，所述读写控制电路用于控制向所述存储单元阵列写入或读出数据，所述第二方向垂直于所述第一方向； 校验电路，所述校验电路位于所述读写控制电路远离所述存储单元阵列的一侧，使所述存储单元阵列与所述读写控制电路在所述第二方向上一一对应，所述存储单元阵列与所述读写控制电路通过直线型的所述第一数据线连接，所述校验电路通过第二数据线连接所述读写控制电路，所述校验电路用于对所述数据进行校验。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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