买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211040718.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件是由赵胜雷;艾月;张进成;刘爽;宋秀峰;黄永;陈兴;郝跃设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件，包括肖特基漏极、多个欧姆漏极、衬底、漂移层、沟道层、导电层、栅极介质、源极和栅极，其中，肖特基漏极、衬底、漂移层、沟道层、导电层和栅极介质自下而上依次设置，多个欧姆漏极均匀镶嵌在肖特基漏极内部，且多个欧姆漏极和肖特基漏极的上表面均与衬底的下表面接触；肖特基漏极与衬底采用肖特基接触，多个欧姆漏极与衬底均采用欧姆接触；源极设置在栅极介质的两侧，源极的下表面向下延伸至沟道层；栅极设置在栅极介质的中部，栅极向下延伸至漂移层且通过栅极介质与漂移层、沟道层和导电层间隔开。本发明可以有效减小开启电压，保持肖特基接触的整流特性，且仍具有双向阻断能力。

本发明授权一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件在权利要求书中公布了：1.一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件，其特征在于，包括肖特基漏极1、多个欧姆漏极2、衬底3、漂移层4、沟道层5、导电层6、栅极介质7、源极8和栅极9，其中，所述肖特基漏极1、所述衬底3、所述漂移层4、所述沟道层5、所述导电层6和所述栅极介质7自下而上依次设置，所述多个欧姆漏极2均匀镶嵌在所述肖特基漏极1内部，且所述多个欧姆漏极2和所述肖特基漏极1的上表面均与所述衬底3的下表面接触； 所述肖特基漏极1与所述衬底3采用肖特基接触，所述多个欧姆漏极2与所述衬底3均采用欧姆接触； 所述源极8设置在所述栅极介质7的两侧，所述源极8的下表面向下延伸至所述沟道层5；所述栅极9设置在所述栅极介质7的中部，所述栅极9向下延伸至所述漂移层4且通过所述栅极介质7与所述漂移层4、所述沟道层5和所述导电层6间隔开； 所述欧姆漏极2呈长条形结构，多个所述欧姆漏极2平行设置在所述肖特基漏极1内部且从所述肖特基漏极1的一侧延伸至相对的另一侧； 所述GaN双向阻断垂直功率器件还包括电流阻挡层10，所述电流阻挡层10设置在所述漂移层4上表面左右两侧，且所述电流阻挡层10的上表面与所述沟道层5的下表面接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。