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安徽大学朱云来获国家专利权

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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种优化电导漂移的推理映射方案获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115456153B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211010160.5,技术领域涉及:G06N5/04;该发明授权一种优化电导漂移的推理映射方案是由朱云来;方修全;冯哲;吴祖恒;徐祖雨;代月花设计研发完成,并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种优化电导漂移的推理映射方案在说明书摘要公布了:本发明属于电导漂移技术领域,具体涉及一种优化电导漂移的推理映射方案包括以下步骤:S1:根据电导漂移模型,对于实际的器件电导漂移数据进行拟合,得出模型参数;S2:对输入数据与权值分别进行放缩,作为权值输入电压V00与目的映射电导C;S3:将输入信号经过S2步骤处理为权值输入电压V00,并乘上一个衰减因子,得到最终输入电压V,然后经过外围板卡电路映射到忆阻器阵列中,与传统的方法相比,本专利提出的方案解决了电导漂移问题,通过对输入信号乘上一个补偿因子的独特机制优化了系统的性能,电导漂移的补偿可以直接由输入信号来提供,降低的硬件网络实现的难度,使用本方案的系统在训练了20次后可达到96%的准确率,相比传统方案的准确率提升了10%。

本发明授权一种优化电导漂移的推理映射方案在权利要求书中公布了:1.一种优化电导漂移的推理映射方案,其特征在于,包括以下步骤: S1:根据电导漂移模型,对于实际的器件电导漂移数据进行拟合,得出模型参数; S2:忆阻器阵列理想状态下,对输入数据与权值分别进行放缩,作为权值输入电压与目的映射电导; S3:将输入信号经过S2步骤处理为权值输入电压,并乘上一个衰减因子,得到最终输入电压,然后经过外围板卡电路映射到忆阻器阵列中; 所述步骤S2中,得出权值输入电压与目的映射电导采用的公式为:                       2                      3其中:是初始输入电压,和分别是映射权值的最大值与最小值,和分别是忆阻器最大电导与最小电导。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学,其通讯地址为:230039 安徽省合肥市蜀山区九龙路111号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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