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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138415.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法是由林珍华;常晶晶;崔东升;亢梦洋;苏杰;魏葳;郭兴;赵雪;胡赵胜;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法在说明书摘要公布了：一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备，通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控，使得器件同时具备单极性和双极性模式，而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流，相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计，以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后，使用真空蒸镀设备进行100‑200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程，且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。

本发明授权一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器的制备方法，其特征在于：具体步骤如下： 1超声清洗Pt衬底； 2使用磁控溅射的方法在步骤1清洗后的Pt衬底上沉积单层非晶氧化镓薄膜，具体为：将置有步骤1清洗后的Pt衬底的托盘放入磁控溅射腔室内固定，真空度抽到9*10‑4Pa以下，将功率设为100‑140W，溅射压强为0.6‑1.2Pa,温度为室温，然后通入氩氧混合气体，氩气和氧气的总流量为50sccm,其中氧气含量在10%‑20%之间，以调控非晶氧化镓中氧缺陷浓度，开启磁控溅射设备，溅射时间为5‑12分钟，溅射厚度为30‑70nm，沉积形成缺陷可控的单层非晶氧化镓薄膜3在氮气环境下对步骤2沉积了单层非晶氧化镓薄膜的Pt衬底进行退火处理，具体为：将步骤2沉积了缺陷可控的单层非晶氧化镓薄膜的Pt衬底置于氮气氛围的手套箱内，200‑300℃下退火10‑20分钟； 4将Ag电极蒸镀到单层非晶氧化镓薄膜上。

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