长鑫存储技术有限公司李树平获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115480443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110605120.4，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法是由李树平设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法，该掩膜版图形的修正方法包括：获取掩膜版的初始图形，初始图形包括划片槽区域以及多个间隔的芯片区域，划片槽区域位于相邻的两个芯片区域之间，芯片区域包括芯片子区域以及第一子TEG区域，划片槽区域包括划片槽子区域以及第二子TEG区域，第一子TEG区域以及第二子TEG区域相邻，第一子TEG区域以及第二子TEG区域构成TEG区域；对初始图形的除TEG区域之外的区域进行光学邻近效应修正，得到最终图形。该方法保证了OPC后得到的最终图形不会产生细缝，避免了现有技术中OPC后的掩膜版上有细缝的问题，保证了形成的最终图形的效果较好。
本发明授权掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括： 获取掩膜版的初始图形，所述初始图形包括划片槽区域以及多个间隔的芯片区域，所述划片槽区域位于相邻的两个所述芯片区域之间，所述芯片区域包括芯片子区域以及第一子TEG区域，所述划片槽区域包括划片槽子区域以及第二子TEG区域，所述第一子TEG区域以及所述第二子TEG区域相邻，所述第一子TEG区域以及所述第二子TEG区域构成TEG区域； 对所述初始图形的除所述TEG区域之外的区域进行光学邻近效应修正，得到最终图形。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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