西安电子科技大学孙静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211038115.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法是由孙静;马晓华;王宏;王湛;杨眉设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法，可重构型忆阻器包括：衬底、底电极、阻变功能层和若干顶电极，底电极位于衬底上，底电极的材料采用水溶性金属材料；阻变功能层包括第一水溶性介质层和第二水溶性介质层，第一水溶性介质层位于底电极上，第二水溶性介质层位于第一水溶性介质层上，第一水溶性介质层的材料包括第一水溶性介质材料，第二水溶性介质层的材料包括第二水溶性介质材料；若干顶电极阵列分布在第二水溶性介质层上。该可重构型忆阻器可溶于水溶液中，当存内计算芯片的应用环境受到威胁，只需将其暴露在水溶液的触发式环境中就可保障存储在忆阻器阵列中的信息不被泄漏，赋予其特定环境中的应变能力从而保障信息安全。
本发明授权一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种物理瞬态的可重构型忆阻器，其特征在于，所述可重构型忆阻器可溶于水溶液中，包括：衬底1、底电极2、阻变功能层3和若干顶电极4，其中，所述底电极2位于所述衬底1上，所述底电极2的材料采用水溶性金属材料； 所述阻变功能层3包括第一水溶性介质层31和第二水溶性介质层32，所述第一水溶性介质层31位于所述底电极2上，所述第二水溶性介质层32位于所述第一水溶性介质层31上，所述第一水溶性介质层31的材料包括第一水溶性介质材料，所述第一水溶性介质材料包括SiNx，所述第一水溶性介质层31的厚度为8‑10nm，所述第二水溶性介质层32的材料包括第二水溶性介质材料； 所述若干顶电极4阵列分布在所述第二水溶性介质层32上，所述顶电极4的材料包括Ag、Mg、Cu中的任一种，厚度为90‑100nm。
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