南京工业职业技术大学董鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业职业技术大学申请的专利一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211209693.6，技术领域涉及：G02B27/28；该发明授权一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法是由董鹏;高子梦;尤杨;赵晨淼;吴嘉颖;穆洋;吴镇鑫;王鹏设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法，本发明涉及应用光学和光学工程领域，本发明包括多个InP层和SiO22层交替排布组成的共振光学隧穿结构，利用偏置辅助光注入来调控InP层的光学折射率，进而调控光子自旋霍尔效应，通过该方法，可以对光子自旋霍尔效应所产生的自旋相关位移进行有效调控，为光子自旋霍尔效应提供了新的调控方法。
本发明授权一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法，其特征在于，包括多个InP层和SiO2层排列的共振光学隧穿结构； 所述InP层折射率数值范围是3.4‑3.5，所述SiO2层折射率数值范围是1.42‑1.55,所述InP层和SiO2层交替排列构成共振光学隧穿结构；所述InP层和SiO2层从上至下交替排列组成的多层薄膜构成共振光学隧穿结构，其折射率呈现高‑低‑高‑低的交替排列； 从共振光学隧穿结构侧边垂直注入偏置辅助光，激发半导体材料InP层产生光生载流子，实现对InP层折射率的调控； 工作光源选取线偏振光，并以一定的入射角度照射具有折射率梯度分布的共振光学隧穿结构； 调节偏置辅助光注入的光强度或光子能量，改变半导体材料InP层的折射率，实现透射光光子自旋霍尔效应的灵活调控。
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