厦门三安光电有限公司秦志磊获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利微型发光二极管及其制备方法、转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211283230.4，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权微型发光二极管及其制备方法、转移方法是由秦志磊;吴政;王志远;李佳恩设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光二极管及其制备方法、转移方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型发光二极管及其制备方法、移转方法。微型发光二极管至少可包括：外延结构及设于外延结构上的连接电极和粗化部。外延结构具有相对的第一表面和第二表面，第一表面的纵向截面为平面，第二表面的纵向截面包括连续的第一部分、第二部分和第三部分,第一部分和第三部分朝向外延结构的发光区外侧的轮廓线呈曲面，第二部分为平面。连接电极位于外延结构的上方，且与外延结构电性连接。粗化区域于外延结构的下方，且位于第二表面远离第一表面一侧的部分表面。粗化部可作为外延结构的连接面或接触面，以与其它层级结构相连接。
本发明授权微型发光二极管及其制备方法、转移方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管，其特征在于：至少包括： 外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的纵向截面为平面，所述第二表面的纵向截面包括连续的第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第三部分朝向所述外延结构的发光区外侧的轮廓线呈曲面，所述第二部分为平面； 连接电极，位于所述外延结构的上方，与所述外延结构电性连接；以及粗化部，位于所述外延结构的下方，且位于所述第二表面中所述第二部分远离所述第一表面一侧的部分表面； 所述第二表面中所述第一部分和所述第三部分分别自所述第一表面朝向所述第二表面为凸出的弧形面，所述第一部分的两端和所述第三部分的两端分别在水平方向投影的长度为大于等于5微米、小于等于20微米； 所述第一部分和所述第三部分中所述弧形面与所述第二部分的连接处的切线与水平方向的夹角为30°至75°；所述第二表面区域的出光面包括所述第一部分和所述第三部分。
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