佛山市国星半导体技术有限公司范凯平获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种高亮度LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245987.4，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种高亮度LED芯片及其制备方法是由范凯平;唐恝;邓梓阳;何俊聪;于倩倩设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高亮度LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及发光半导体技术领域，高亮度LED芯片包括P型GaN层、ITO金属复合结构和Ag反射层，通过在P型GaN层上沉积ITO层，然后采用湿法或干法刻蚀ITO层，在ITO层上形成若干个凹坑结构，接着在凹坑结构中沉积满金属粒子形成ITO金属复合结构，ITO金属复合结构包括ITO层和镶嵌在ITO层中的若干个金属块；最后在所述ITO金属复合结构上沉积Ag镜反射层。本发明通过在ITO层中嵌入金属块形成ITO金属复合结构，电流在该结构中能充分横向扩展，最后分散地进入P型GaN层，避免芯片内局部电流集中，降低了芯片的工作电压，获得高亮度。
本发明授权一种高亮度LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括P型GaN层、设于所述P型GaN层上的ITO金属复合结构和设于所述ITO金属复合结构上的Ag反射层，其中： 所述ITO金属复合结构包括ITO层和若干个金属块，所述若干个金属块镶嵌在所述ITO层中； 所述ITO金属复合结构包括ITO盖层和一层以上的ITO金属复合层，所述ITO盖层设于所述一层以上的ITO金属复合层上；所述一层以上的ITO金属复合层中的每一层ITO金属复合层包括ITO层和若干个金属块，所述若干个金属块阵列镶嵌在所述ITO层中； 所述一层以上的ITO金属复合层为两层以上的ITO金属复合层时，相邻ITO金属复合层中的若干个金属块在纵向上相互交错排列且在纵向上的投影均不重合；和或所述ITO盖层的厚度和所述ITO金属复合层的厚度满足四分之一波长反射定律。
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