TDK株式会社佐佐木智生获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211213418.1，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器是由佐佐木智生设计研发完成，并于2017-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器在说明书摘要公布了：本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件100具备：磁壁驱动层1，具有磁壁DW、第1区域1a、第2区域1b、位于第1区域与第2区域之间的第3区域1c；磁化固定层5，经由非磁性层6被设置于第3区域；下部电极层4，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。
本发明授权磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，具备： 磁壁驱动层，具有磁壁、第1区域、第2区域、和位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域； 磁化固定层，经由非磁性层而设置于所述第3区域； 下部电极层，在所述第3区域的设置有所述磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于俯视时与所述磁化固定层相重叠的位置；以及高阻层，设置于所述磁壁驱动层和所述下部电极层之间，所述磁壁驱动层中的、所述俯视时重叠于所述磁化固定层的部分的厚度大于其他部分，所述磁壁驱动层的长度为60nm以上，所述磁壁利用型模拟存储元件进一步具备： 与所述第1区域相接并具有第1磁化方向的第1磁化供给层；以及与所述第2区域相接并具有与所述第1磁化方向相反的第2磁化方向的第2磁化供给层，所述磁壁驱动层具有以每个规定距离形成的、且由凹凸、沟槽、鼓起或缺口构成的磁壁销止部。
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