西安电子科技大学赵胜雷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211045063.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管及制备方法是由赵胜雷;吴风;张进成;宋秀峰;南继澳;张嘎;王浩宇;郝跃设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管及其制备方法，该AlGaN肖特基二极管从下至上依次包括衬底、缓冲层、AlGaN过渡层、超晶格层和AlGaN漂移层，且阳极设置于AlGaN漂移层的上表面，阴极设置于刻蚀部分AlGaN漂移层的超晶格层的上表面；其中，超晶格层是由AlN和GaN交替生长形成的周期性结构，或是由AlGaN和GaN交替生长形成的周期性结构，以形成高浓度的2DEG沟道。本发明的准垂直结构的AlGaN肖特基二极管与传统准垂直结构的GaN肖特基二极管相比，具有更高的击穿电压，更低的导通电阻和更高的电流密度。
本发明授权一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管，其特征在于，从下至上依次包括衬底、缓冲层、AlGaN过渡层、超晶格层和AlGaN漂移层，且阳极设置于所述AlGaN漂移层的上表面，阴极设置于刻蚀掉部分AlGaN漂移层后露出的所述超晶格层的上表面；其中，所述超晶格层是由AlN和GaN交替生长形成的周期性结构，或是由AlGaN和GaN交替生长形成的周期性结构，以形成高浓度的2DEG沟道；其中，超晶格层形成2DEG导体与AlGaN过渡层共同形成传输层，用于改善电流分布，减少电流集边效应；所述超晶格层的总厚度为10nm～100nm。
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