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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种低空洞率LED芯片的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211283776.X，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种低空洞率LED芯片的制作方法是由范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;于倩倩设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低空洞率LED芯片的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低空洞率LED芯片的制作方法，涉及发光二极管技术领域，包括以下步骤：在外延片上按照LED芯片工艺流程制作绝缘膜层和金属膜层；在每一层绝缘膜层成型之后，将所对应的绝缘膜层连同外延片浸入绝缘体纳米粒子流体中进行加热及超声震荡处理；然后将其取出进行清洗，并置于N22气氛中进行高温退火处理；在制作每一层金属膜层时，采用单个合金材料锭作为单个材料源进行蒸镀，或采用多个金属单质材料锭作为多个材料源同时进行蒸镀形成所述每一层金属膜层。本发明的方法通过将绝缘膜层浸入纳米粒子流体中加热、超声震荡并高温退火处理，降低了膜层空洞率；通过特殊的PVD工艺制成金属膜层，降低了膜层空洞率。

本发明授权一种低空洞率LED芯片的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低空洞率LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在外延片上按照LED芯片工艺流程制作绝缘膜层和金属膜层； 2在每一层绝缘膜层成型之后，将所对应的绝缘膜层连同外延片浸入绝缘体纳米粒子流体中进行加热及超声震荡处理，使所述绝缘体纳米粒子流体中的绝缘体纳米粒子充分嵌入所述绝缘膜层中的空洞内；所述绝缘体纳米粒子流体由绝缘体纳米粒子分散于异丙醇或丙酮中形成；所述绝缘体纳米粒子为二氧化硅纳米粒子、氮化硅纳米粒子、碳化硅纳米粒子中的一种或多种的组合； 将加热及超声震荡处理后的带绝缘膜层的外延片进行清洗，并置于N2气氛中进行高温退火处理，使所述绝缘体纳米粒子与所述绝缘膜层再结晶紧密结合，填补所述绝缘膜层中的空洞； 3在制作每一层金属膜层时，采用单个合金材料锭作为单个材料源进行蒸镀沉积形成所述每一层金属膜层，所述合金材料锭由金属单质颗粒混合均匀后压铸形成，且不同种类的所述金属单质颗粒之间的熔点相差不超过500℃； 或采用多个金属单质材料锭作为多个材料源同时进行蒸镀形成所述每一层金属膜层。

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