长鑫存储技术有限公司朱高序获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件、电阻开关及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115622551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110808617.6，技术领域涉及：H03K17/94；该发明授权半导体器件、电阻开关及其制作方法是由朱高序设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、电阻开关及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件、电阻开关及其制作方法，属于电学元件技术领域。该电阻开关包括壳体，为密闭中空结构；供气装置，设于所述壳体外，并与所述壳体连通，用于向所述壳体内提供气体，所述气体包括氧化性气体和还原性气体；阻变件，设于所述壳体内，所述阻变件的材料基于所述供气装置提供的气体在金属和多种金属氧化物之间相互转变。本公开电阻开关可对应多种阻值状态，将其连接于电路时，不同阻值状态可分别对应于电路的不同功率导通状态或断开状态，从而满足电路在不同状况下需要不同功率的要求。
本发明授权半导体器件、电阻开关及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻开关，其特征在于，包括： 壳体，为密闭中空结构； 供气装置，设于所述壳体外，并与所述壳体连通，用于向所述壳体内提供气体，所述气体包括氧化性气体和还原性气体； 阻变件，设于所述壳体内，所述阻变件的材料基于所述供气装置提供的气体在金属和多种金属氧化物之间相互转变。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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