长鑫存储技术有限公司石宏龙获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器芯片封装结构、SDRAM电路板、测试方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115691635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211294961.9，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权存储器芯片封装结构、SDRAM电路板、测试方法和存储介质是由石宏龙设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器芯片封装结构、SDRAM电路板、测试方法和存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器芯片封装结构、SDRAM电路板、测试方法和存储介质，涉及半导体技术领域。其中，存储器芯片封装结构包括：基板，设置有导电触片；至少一层晶圆，叠加在基板上，晶圆上设置有第一接合焊盘，第一接合焊盘和对应的导电触片之间电连接；中介层板，设置在至少一层晶圆上，中介层板设置有对应电连接的第二接合焊盘和测试点，第二接合焊盘还和对应的第一接合焊盘之间电连接；塑封件，注塑在基板上，用于塑封少一层晶圆和中介层板，塑封件的上表面与测试点相对的位置开设有测试孔，以暴露测试点。通过本公开的技术方案，能够更准确的消除噪声对测试信号的影响，进而有利于提升存储器芯片的测试精度。
本发明授权存储器芯片封装结构、SDRAM电路板、测试方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器芯片封装结构，其特征在于，包括： 基板，设置有导电触片； 至少一层晶圆，叠加在所述基板上，所述晶圆上设置有第一接合焊盘，所述第一接合焊盘和对应的所述导电触片之间电连接； 中介层板，设置在所述至少一层晶圆上，所述中介层板设置有对应电连接的第二接合焊盘和测试点，所述第二接合焊盘还和对应的所述第一接合焊盘之间电连接； 塑封件，注塑在所述基板上，用于塑封所述至少一层晶圆和所述中介层板，所述塑封件的上表面与所述测试点相对的位置开设有测试孔，以暴露所述测试点。
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