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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种高调制带宽高散热MINI型深紫外LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211088626.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高调制带宽高散热MINI型深紫外LED及其制备方法是由尹以安;谢雅芳设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高调制带宽高散热MINI型深紫外LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高调制带宽高散热MINI型深紫外LED及其制备方法，包括，依次生长于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜结构、外延结构、p型电极和填充金属层，其衬底经减薄后刻蚀形成有多个柱状通孔，该填充金属层具有平台和分布于平台上的多个金属柱，金属柱位于柱状通孔内，其采用分布式布拉格反射镜结构增大出光效率，且应用晶格匹配的多量子阱层，有效降低了量子限制斯达克效应，增大了内量子效率，极大地提高了产品的可靠性和稳定性；本发明的制备方法获得的器件，晶体质量更高、出光更均匀、散热性能更好，且由于器件尺寸小，获得更小的时间常数和更小的载流子寿命，提高了调制带宽，增强了在日盲紫外通信方面的应用。

本发明授权一种高调制带宽高散热MINI型深紫外LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高调制带宽高散热MINI型深紫外LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上依次外延生长缓冲层、由20个周期的AlNAl0.55Ga0.45N组成的分布式布拉格反射镜DBR层、n型AlGaN层、四元AlInGaN AlInGaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaNAlGaN超晶格欧姆接触层； 在所述超晶格欧姆接触层上制备p型电极； 减薄所述衬底，随后刻蚀所述衬底形成间隔排列的柱状通孔阵列结构； 在所述衬底上以及柱状通孔阵列结构中依次沉积黏附层和种子层，随后沉积金属电极层形成填充金属层，最终形成n型电极； 其中，四元AlInGaNAlInGaN多量子阱层中，其周期数为5，阱层和垒层的晶格失配度小于0.01，垒层的厚度为10~12nm，其Al组分的含量为0.6~0.8，In组分的含量为0.14~0.22；阱层的厚度为2~4 nm，其Al组分的含量为0.5，In组分的含量为0.16； 分布式布拉格反射镜DBR层中AlN层的厚度为40nm，Al0.55Ga0.45N层的厚度为25nm； 所述p型AlGaNAlGaN超晶格欧姆接触层为10个周期的Al0.4Ga0.6NAl0.7Ga0.3N组成，单层AlGaN的厚度为1nm； 所述缓冲层包括生长于衬底上的低温GaN层和生长于低温GaN层上的高温GaN层。

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