株式会社新川谷大辅获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社新川申请的专利半导体装置的制造装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180039872.7，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体装置的制造装置及制造方法是由谷大辅;清水孝寛;宫本雅文设计研发完成，并于2021-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造装置及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可在探测凸块的熔融时机的同时适当地保持凸块的品质的半导体装置的制造装置及制造方法。半导体装置的制造装置10包括：载台12、安装工具20、使所述安装工具20在铅垂方向上移动并对芯片100赋予载荷的加压机构22、以及控制器16，所述控制器16构成为进行如下处理：第一处理，在所述芯片100着陆后且凸块104熔融之前，利用所述安装工具20对所述芯片100进行加热，同时随时更新所述加压机构22的指令位置P*，以使位置偏差ΔP*恒定；以及检测处理，基于按压载荷的减少来检测所述凸块的熔融。
本发明授权半导体装置的制造装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，包括： 载台，支撑基板； 安装工具，能够对底面具有凸块的芯片进行加热并保持所述芯片； 加压机构，使所述安装工具在铅垂方向上移动并对所述芯片赋予载荷；以及控制器，控制所述安装工具及所述加压机构的驱动，所述控制器构成为进行如下处理： 第一处理，在使所述芯片着陆到所述基板后且所述凸块熔融之前，利用所述安装工具对所述芯片进行加热，同时随时更新所述加压机构的铅垂方向上的指令位置，以使作为所述加压机构的指令位置与当前位置的差的位置偏差恒定；以及检测处理，与所述第一处理同时进行，监视由所述加压机构对所述芯片赋予的按压载荷，并基于所述按压载荷的减少来检测所述凸块的熔融，所述控制器将传感器检测到的所述安装工具的检测位置与每一次采样时的热膨胀量的和减去大于0的位置偏差的目标值后得到的值予以更新，作为所述指令位置，所述加压机构具有使所述安装工具在铅垂方向上移动的音圈马达，所述控制器在所述检测处理中将所述音圈马达的电流值作为表示所述按压载荷的参数来加以监视。
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