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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211479607.3，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法是由徐新华设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法，该装置包括箱体，箱体内部设置有清洗机构，清洗机构的一部分设置于清洗篮中，清洗机构包括去污辊，去污辊有若干个，若干去污辊的下端活动安装于清洗篮内部底面上，且去污辊的上端穿设于水箱与工作箱而与工作箱顶壁活动相连；若干去污辊在纵向上分为若干组，每一组去污辊等距间隔排列；清洗辊，清洗辊有若干个，清洗辊包括辊柱，每一个辊柱在纵向上设置于相邻的两个去污辊之间，每一个辊柱位于水箱内部的辊壁上均开设有进水口；喷头，喷头均匀分布于辊柱位于清洗篮内部的辊壁上；该装置可以在达到良好清洗效果的同时保护半导体晶片的质量不受损坏。

本发明授权一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶片的清洗装置，包括外壳100，所述外壳100包括箱体110和盖体120，所述盖体120安装于箱体110前侧；其特征在于，所述箱体110内部设置有支撑板800，所述支撑板800固定安装于箱体110内部上方，且位于盖体120上方； 水箱600，所述水箱600安装于支撑板800上侧； 工作箱700，所述工作箱700安装于水箱600上侧； 清洗篮200，所述清洗篮200固定安装于支撑板800下方，且位于盖体120下方； 清洗机构300，所述清洗机构300的一部分设置于清洗篮200中，所述清洗机构300包括去污辊310，所述去污辊310有若干个，若干去污辊310的下端活动安装于清洗篮200内部底面上，且去污辊310的上端穿设于水箱600与工作箱700而与工作箱700顶壁活动相连；若干去污辊310在纵向上分为若干组，每一组去污辊310等距间隔排列； 清洗辊320，所述清洗辊320有若干个，所述清洗辊320包括辊柱321，每一个所述辊柱321在纵向上设置于相邻的两个所述去污辊310之间，每一个所述辊柱321位于水箱600内部的辊壁上均开设有进水口323； 喷头322，所述喷头322有若干个，所述喷头322均匀分布于所述辊柱321位于清洗篮200内部的辊壁上； 驱动机构400，所述驱动机构400用以驱动去污辊310和辊柱321进行转动。

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