上海华力微电子有限公司张俊学获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211427641.6，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权半导体器件的制作方法是由张俊学;温世源;吴智勇设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体衬底的制作方法，在STI制作过程中通过对氮化硅加厚，使CMP后密集区域和空旷区域的隔离沟槽均高于有源区，并在多晶硅刻蚀工艺前，形成第一底部抗反射层；再通过对第一底部抗反射层进行回刻平坦化，降低空旷区域有源区和隔离沟槽的高度差，从而避免多晶硅刻蚀工艺中，底部抗反射层涂布厚度差异过大，造成的有源区损伤或多晶硅残留。
本发明授权半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 在所述衬底上进行隔离沟槽工艺形成有源区，其中，所述第一区域的有源区的图形密度小于所述第二区域的有源区的图形密度，且所述第一区域和所述第二区域的隔离沟槽均高于有源区； 在所述衬底上形成第一底部抗反射层，回刻所述第一底部抗反射层和部分所述隔离沟槽，使所述第一区域内隔离沟槽与有源区齐平，所述第二区域内隔离沟槽高于有源区； 在所述衬底上依次形成多晶硅层、硬掩膜层及第二底部抗反射层，并进行多晶硅刻蚀工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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