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龙图腾网获悉锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211325324.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法是由侯永田;叶甜春;陈少民;李彬鸿设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域,公开了提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法，包括如下步骤：S1：提供晶圆，晶圆上设有用于制作CorePMOS的第一区域，第一区域的顶部设有SiGe层；S2：在SiGe层的顶部制作第一厚度的Si层；S3：在Si层上制作高K介质层，在实际使用时，本发明通过先在SiGe层上生长一层Si层，然后在Si层上生长高K介质层，可以提高SiGe层与高K介质层的界面质量，降低界面态密度，从而提高器件的迁移率和降低低频噪声。

本发明授权提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法在权利要求书中公布了：1.提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：提供晶圆，所述晶圆上设有用于制作Core PMOS的第一区域，所述第一区域的顶部设有SiGe层； S2：在所述SiGe层的顶部制作第一厚度的Si层； S3：在所述Si层上制作高K介质层； 所述晶圆上还设有用于制作Core NMOSSRAM的第二区域和用于制作IO的第三区域； 步骤S2中先在晶圆的顶部制作硬掩模层，然后将第一区域处的硬掩模层去除掉，接着通过外延工艺在第一区域生长第一厚度的Si层，最后将晶圆上其余的硬掩模层去除掉； 获取在将晶圆上其余的硬掩模层去除掉时Si层厚度的消耗量，假设为Xnm，如果要求沉积高K介质层前的Si层的厚度为Nnm，则第一厚度为X和N的和值； 在执行步骤S1之后和执行步骤S2之前，在所述晶圆的顶部制作隔离沟槽，制作隔离沟槽的步骤如下： 在所述晶圆的顶部制作垫氧化层、垫氮化层、抗反射层和光刻胶层； 接着通过曝光和显影工艺将隔离沟槽的图形转移到抗反射层上； 然后通过蚀刻工艺依次蚀刻抗反射层、垫氮化层、垫氧化层和晶圆，形成隔离沟槽； 接着在所述隔离沟槽的内壁面形成一层氧化层； 然后在所述隔离沟槽内填充氧化物； 接着通过CMP工艺对垫氮化层的表面进行平坦化处理； 最后去除所述垫氮化层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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