长鑫存储技术有限公司侯闯明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利测试电路、测试方法及测试设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115792547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211131528.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权测试电路、测试方法及测试设备是由侯闯明设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试电路、测试方法及测试设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种测试电路、测试方法及测试设备，涉及半导体技术领域，所述测试电路包括环形振荡电路和若干个测试单元；所述环形振荡电路包括依次级联并形成环形回路的多个逻辑门单元；所述测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的共接栅极与所述逻辑门单元的输入端连接，第一晶体管的源极与第一接地端连接，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，第一晶体管的衬底端或第二晶体管的衬底端与衬偏电压源连接，第二晶体管的源极与第一电源连接，衬偏电压源用于在所述逻辑门单元的输入端发生电平翻转时，为第一晶体管的衬底端或第二晶体管的衬底端提供衬偏电压。本公开可以准确测量出测试单元中晶体管的驱动电流。
本发明授权测试电路、测试方法及测试设备在权利要求书中公布了：1.一种测试电路，其特征在于，包括环形振荡电路和若干个测试单元； 所述环形振荡电路包括依次级联并形成环形回路的多个逻辑门单元； 所述测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道类型不同，所述第一晶体管和所述第二晶体管的共接栅极与所述逻辑门单元的输入端连接，所述第一晶体管的源极与第一接地端连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的源极与第一电源连接； 所述第一晶体管的衬底端与衬偏电压源连接，所述衬偏电压源用于在所述逻辑门单元的输入端发生电平翻转时，为所述第一晶体管的衬底端提供衬偏电压，以调节所述第一晶体管阈值电压； 或者，所述第二晶体管的衬底端与衬偏电压源连接，所述衬偏电压源用于在所述逻辑门单元的输入端发生电平翻转时，为所述第二晶体管的衬底端提供衬偏电压，以调节所述第二晶体管的阈值电压。
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