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龙图腾网获悉成都海光微电子技术有限公司申请的专利晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115797274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211447824.4，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备是由林健设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备，涉及晶圆测试技术领域，为有利于提升物理失效分析的成功率而发明。所述晶圆物理分析区域确定方法，包括：对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域；确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷；计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度；所述第一类缺陷为所述晶圆经过第一类测试得到的缺陷，所述第二类缺陷为所述晶圆经过第二类测试得到的缺陷；根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域；所述目标区域用于对所述晶圆的缺陷进行物理分析。本发明适用于对晶圆上的芯片进行测试分析。

本发明授权晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆物理分析区域确定方法，所述晶圆上制作有电路及电子元件，其特征在于，所述方法包括： 对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域； 确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷； 计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度；所述第一类缺陷为所述晶圆经过第一类测试得到的缺陷，所述第二类缺陷为所述晶圆经过第二类测试得到的缺陷； 根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域；所述目标区域用于对所述晶圆的缺陷进行物理分析； 其中，所述根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域，包括： 计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度；将所述匹配度超过预定匹配度阈值的区域，确定为目标区域； 或者，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度；对各区域按照第一类缺陷的失效严重程度或第二类缺陷的失效严重程度的高低进行排序，提取排序靠前的第一预定数量的区域； 对所述第一预定数量的区域，按照所述匹配度的高低进行排序，提取排序靠前的第二预定个数的区域，作为目标区域。

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