哈恩-席卡德应用研究学会阿希姆·比特纳获国家专利权
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龙图腾网获悉哈恩-席卡德应用研究学会申请的专利具有增强的保护特性的紧凑且可易于生产的MEMS封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115803281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180047256.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权具有增强的保护特性的紧凑且可易于生产的MEMS封装件是由阿希姆·比特纳;阿尔方斯·德厄设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有增强的保护特性的紧凑且可易于生产的MEMS封装件在说明书摘要公布了：优选地，本发明涉及具有用于保护MEMS元件的至少一个层的MEMS封装件，其中，MEMS元件具有在基底上的至少一个MEMS交互区域，并且MEMS元件的表面保形涂覆部施加有电介质层。特别优选地，本发明涉及MEMS换能器封装件，其中例如具有MEMS膜和处理器优选为集成电路的MEMS元件被布置在基底上。为了提供保护，电介质的表面保形涂覆部优选地首先施加于MEMS元件，例如通过喷涂涂覆、雾涂覆和或气相涂覆。然后，优选地，施加电传导层。根据配置，这些层可以在MEMS元件的MEMS交互区域上方的某些区域被去除，例如以用于MEMS膜的声音开口。
本发明授权具有增强的保护特性的紧凑且可易于生产的MEMS封装件在权利要求书中公布了：1.一种MEMS封装件14的生产方法，所述MEMS封装件具有用于保护MEMS元件1的至少一个层，所述生产方法包括以下步骤： ‑ 在基底4上提供MEMS元件1，所述MEMS元件包括至少一个MEMS交互区域3，其中，所述MEMS元件1包括在所述基底4上的MEMS设备2和处理器5，并且电连接部6存在于所述MEMS设备2与所述处理器5之间，‑ 利用电介质层8来提供所述MEMS元件1的表面保形涂覆部，‑ 至少在所述电介质层8上的区域中施加电传导层9，其中，所述电介质层8和所述电传导层9在所述MEMS设备2和所述处理器5之上延伸，所述电介质层8的厚度在10nm与1mm之间，以及所述电传导层9的厚度在10nm与20µm之间，从而为所述MEMS元件1提供了电气绝缘和机械保护，并且实现了所述MEMS元件1的壳体功能。
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