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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115825569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111095288.1，技术领域涉及：G01R27/14；该发明授权测试方法是由宋王琴设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种测试方法，至少可以包括：提供导电基底和分立的多个待测接触结构，待测接触结构的底端与导电基底接触，第二接触结构和第三接触结构位于第一接触结构的不同侧；提供第一激励探针以与第一接触结构顶端电接触，提供第二激励探针以与第二接触结构顶端电接触；提供第一检测探针以与第一接触结构顶端电接触，提供第二检测探针以与第三接触结构顶端电接触；提供流经第一接触结构和第二接触结构的激励电流；根据第一检测探针和第二检测探针的电压差值以及激励电流的数值获取第一接触结构与导电基底的接触电阻。本申请实施例有利于准确测量接触电阻。

本发明授权测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试方法，其特征在于，包括： 提供导电基底和分立的多个待测接触结构，所述待测接触结构的底端与所述导电基底接触，所述待测接触结构包括第一接触结构、第二接触结构和第三接触结构，所述第二接触结构和所述第三接触结构位于所述第一接触结构的不同侧； 提供第一激励探针和第二激励探针，所述第一激励探针与所述第一接触结构顶端电接触，所述第二激励探针与所述第二接触结构顶端电接触； 提供第一检测探针和第二检测探针，所述第一检测探针与所述第一接触结构顶端电接触，所述第二检测探针与所述第三接触结构顶端电接触； 通过所述第一激励探针和所述第二激励探针提供激励电流，所述激励电流流经所述第一接触结构和所述第二接触结构，以形成电流回路，且所述第一检测探针和所述第二检测探针构成电压回路； 根据所述第一检测探针和所述第二检测探针的电压差值以及所述激励电流的数值获取所述第一接触结构与所述导电基底的接触电阻； 其中，所述第一接触结构的自身电阻远小于所述第一接触结构与所述导电基底的所述接触电阻。

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