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龙图腾网获悉北京凯普林光电科技股份有限公司申请的专利一种半导体激光器阵列单巴测试装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115825684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211664944.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体激光器阵列单巴测试装置及方法是由郎超;杨林伟;马威;唐强;于振坤;陈晓华设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器阵列单巴测试装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体激光器阵列单巴测试装置及方法，装置包括：底板；液冷座，用于对微通道单巴通入冷却液；正极块，用于连接电源正极，将微通道单巴的正极导电；负极块，用于连接电源负极，将微通道单巴的负极导电；导电压块，用于将微通道单巴的正极和负极导通，并且与微通道单巴的密封圈密封；驱动单元，与导电压块连接，用于控制导电压块的移动速度和力度。本发明装置采用驱动单元控制导电压块的移动速度和力度，导电压块的按压力度可调节，进而密封圈的压缩量可以针对每一种微通道单巴产品进行适应性调整，避免现有技术中手工调节紧固件带来紧固力度不易控制而引发的微通道单巴形变问题和密封不良的问题。

本发明授权一种半导体激光器阵列单巴测试装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器阵列单巴测试装置，包括底板1、液冷座4、正极块5和负极块6，所述液冷座4用于对微通道单巴通入冷却液，所述正极块5连接电源正极，将所述微通道单巴的正极导电，所述负极块6连接电源负极，将所述微通道单巴的负极导电，其特征在于，还包括： 导电压块7，用于将所述微通道单巴的正极和负极导通，并且与所述微通道单巴的密封圈18密封； 驱动单元，与所述导电压块7连接，用于控制所述导电压块7的移动速度和力度； 所述正极块5的第二面上开设有卡槽16，所述微通道单巴设置在所述卡槽16内； 在所述微通道单巴的两侧设置有第一凹槽21，在卡槽16上设置有可拆卸地插芯17，所述插芯17与第一凹槽21的外形相匹配 ，在导电压块7的两侧设有与插芯17适应的第二凹槽25；所述驱动单元为升降台8，所述升降台8包括台座81、开关82、推杆83和连接杆84，所述台座81安装在所述底板1上，所述推杆83的第一端位于所述台座81内，所述推杆83的第二端与所述连接杆84铰接，所述连接杆84用于对所述导电压块7抵靠并施加外力；所述开关82在接通的状态下，所述推杆83以第一方向伸出，所述开关82在断开的状态下，所述推杆83以第一方向的反方向缩回。

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