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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利抗水解蓝绿光LED用外延结构及其制备方法、抗水解蓝绿光LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464602.3，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权抗水解蓝绿光LED用外延结构及其制备方法、抗水解蓝绿光LED是由张文燕;武杰;徐亮;胡清富;邓宝平;彭凌设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗水解蓝绿光LED用外延结构及其制备方法、抗水解蓝绿光LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗水解蓝绿光LED用外延结构及其制备方法、抗水解蓝绿光LED，涉及半导体光电器件领域。外延结构包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述缓冲层包括依次层叠的BN层、BxxGa1‑x1‑xN层和AlyyGa1‑y1‑yN层，其中，x为0.1‑0.2，y为0.1‑0.2。实施本发明，可提升蓝绿光LED的抗水解性能。

本发明授权抗水解蓝绿光LED用外延结构及其制备方法、抗水解蓝绿光LED在权利要求书中公布了：1.一种抗水解蓝绿光LED用外延结构，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠的BN层、BxGa1‑xN层和AlyGa1‑yN层，其中，x为0.1‑0.2，y为0.1‑0.2； 所述N‑GaN层包括依次层叠的第一N‑GaN层、复合插入层和第二N‑GaN层；所述复合插入层为N‑BzGa1‑zN层和N‑AlwGa1‑wN层组成的周期性超晶格结构，其周期数≥2，其中，z为0.1‑0.2，w为0.1‑0.2； 所述第一N‑GaN层的厚度为200‑500nm，所述第二N‑GaN层的厚度为800‑1500nm； 第一N‑GaN层的掺杂元素为Si，掺杂浓度为3×1018‑9×1018cm‑3；所述第二N‑GaN层的掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×1019‑5×1019cm‑3； 所述N‑BzGa1‑zN层的掺杂元素为Si，掺杂浓度为8×1017‑2×1018cm‑3；所述N‑AlwGa1‑wN层的掺杂元素为Si，掺杂浓度为8×1017‑3×1018cm‑3。

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