株式会社国际电气立野秀人获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103195.6，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质是由立野秀人;冈岛优作;今井义则;八田启希设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质在说明书摘要公布了：为了改善在基板上的形成图案形成的膜的台阶覆盖而执行以下工序：将基板保持件收纳于处理室的工序，该基板保持件具有支撑基板的基板支撑件和支撑上部分隔板的分隔板支撑件，该上部分隔板配置于被该基板支撑件支撑的基板的上部；使基板与上部分隔板的距离成为第一间隔，并从气体供给口向基板供给第一气体的第一气体供给工序；以及使基板与上部分隔板的距离成为第二间隔，并从气体供给口向基板供给第二气体的第二气体供给工序。
本发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其特征在于，具有： 将基板保持件收纳于处理室的工序，该基板保持件具有支撑形成有沟槽的基板的基板支撑件和支撑上部分隔板的分隔板支撑件，该上部分隔板配置于被该基板支撑件支撑的所述基板的上部； 使所述基板与所述上部分隔板的距离成为第一间隔的第一工序； 以所述第一间隔从气体供给口向所述基板供给第一气体的第一气体供给工序； 使所述基板与所述上部分隔板的距离成为比所述第一间隔窄的第二间隔的第二工序； 以及以所述第二间隔从所述气体供给口向所述基板供给用作成膜阻碍气体的第二气体的第二气体供给工序。
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