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龙图腾网获悉广西电网有限责任公司电力科学研究院申请的专利一种三轴磁场传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116008878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310012679.5，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种三轴磁场传感器及其制备方法是由周柯;金庆忍;奉斌;王晓明;莫枝阅;吴丽芳;卢柏桦设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三轴磁场传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种本发明公开了一种三轴磁场传感器及其制备方法，三轴磁场传感器包括两组结构相同、位置相互正交的磁传感模块，每组磁场传感器模块包括两组及以上的衬底层、磁隧道结阵列、定值电阻和磁通量衰减器，磁隧道结阵列设置在衬底的上方；定值电阻与磁隧道结阵列连接形成半桥；磁通量衰减器设置在磁隧道结阵列上方。本发明的三轴磁场传感器结构简单，方便生产。制备方法采用同一块一片晶圆衬底通取die切割拼接实现，有利于提升良率，避免不同晶圆上生长薄膜的差异带来的影响。磁通量衰减器的形状、设计完全相同，降低了工艺复杂度，仅采用一次电镀即可实现磁通量衰减器的结构，避免了非敏感轴方向磁场对芯片测量的干扰。

本发明授权一种三轴磁场传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三轴磁场传感器，其特征在于，包括两组结构相同、位置相互正交的磁传感模块，每组所述磁场传感器模块包括两组及以上的衬底层、磁隧道结阵列、定值电阻和磁通量衰减器，所述磁隧道结阵列设置在所述衬底的上方，对磁隧道结短轴方向具有单轴敏感特性； 所述定值电阻与磁隧道结阵列连接形成半桥； 所述磁通量衰减器设置在所述磁隧道结阵列的上方； 每块磁通量衰减器下方设有两组磁隧道结阵列，两组磁隧道结阵列与磁通量衰减器的投影面的长边相平行，每块磁通量衰减器下方左右两侧磁隧道结阵列分别与定值电阻模块组成半桥结构，每个半桥结构的电压输入端相互并联，输出端互相独立；每块磁通量衰减器下方的左右两组磁隧道结阵列分别与最接近的磁通量衰减器的投影长边的距离不同；或，每块磁通量衰减器下方设有两组磁隧道结阵列，两组磁隧道结阵列与磁通量衰减器的投影面的长边相平行，每块磁通量衰减器下方左右两侧磁隧道结阵列分别与定值电阻模块组成半桥结构，每个半桥结构的电压输入端相互并联，输出端互相独立；两组磁隧道结阵列中的其中一组磁隧道结阵列的敏感结构单元与最接近的磁通量衰减器的投影长边存在10~80°的固定夹角，二者夹角不同。

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