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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116068295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310114825.5，技术领域涉及：G01R29/26；该发明授权雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法是由杨晓红;刘一君;王睿;唐永升设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法。该雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统包括：载物装置、光源、频谱仪、偏置器、源压表以及高频探针；载物装置用于放置待测器件，待测器件包括雪崩光电探测器芯片；光源用于向雪崩光电探测器芯片输出稳恒光以进行噪声测试；以及雪崩光电探测器芯片与偏置器相连，偏置器基于直流通路连接源压表，偏置器通过高频探针基于交流通路连接频谱仪，以形成噪声测试链路。

本发明授权雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电探测器过剩噪声因子测量方法，采用一种雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统，所述系统包括：载物装置、光源、频谱仪、偏置器、源压表以及高频探针； 所述载物装置用于放置待测器件，所述待测器件包括雪崩光电探测器芯片； 所述光源用于向所述雪崩光电探测器芯片输出稳恒光以进行噪声测试；以及所述雪崩光电探测器芯片与所述偏置器相连，所述偏置器基于直流通路连接所述源压表，所述偏置器通过所述高频探针基于交流通路连接所述频谱仪，以形成噪声测试链路； 所述方法包括： 对频谱仪进行配置； 将位于载物装置的雪崩光电探测器芯片与偏置器相连，所述偏置器基于直流通路连接源压表，所述偏置器通过高频探针基于交流通路连接所述频谱仪，得到噪声测试链路； 将光源的工作电流配置为低于阈值的输出功率，通过光纤向所述雪崩光电探测器芯片输出稳恒光； 由所述噪声测试链路，通过对所述雪崩光电探测器芯片的响应度测试，确定所述雪崩光电探测器芯片的一倍增益电压点的电压值； 在所述一倍增益电压点的电压值与击穿电压点的电压值之间选择多个目标电压值，分别在有光状态和无光状态下确定所述雪崩光电探测器芯片在不同目标电压值下的过剩噪声功率谱密度和增益值；以及根据所述过剩噪声功率谱密度和所述增益值，确定过剩噪声因子和用于表示所述过剩噪声因子的K值。

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