长鑫存储技术有限公司袁凤翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种测试电路及其操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116068356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310092234.2,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种测试电路及其操作方法是由袁凤翔设计研发完成,并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测试电路及其操作方法在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种测试电路,所述测试电路包括:控制电路和N个待测结构单元,N为大于1的整数;所述控制电路包括第一信号生成单元;所述第一信号生成单元用于接收时钟信号和第一输入信号,并根据所述第一输入信号输出第一选择信号以选中所述N个待测结构单元中的至少一者。
本发明授权一种测试电路及其操作方法在权利要求书中公布了:1.一种测试电路,其特征在于,所述测试电路包括: 控制电路和N个待测结构单元,N为大于1的整数; 所述控制电路包括第一信号生成单元和第二信号生成单元; 所述第一信号生成单元用于接收时钟信号和第一输入信号,并根据所述第一输入信号输出第一选择信号; 所述第二信号生成单元用于接收第二输入信号和所述第一选择信号,并输出第二选择信号以选中所述N个待测结构单元中的至少一者; 所述测试电路还包括M个地址焊盘和第一译码电路; 所述M个地址焊盘用于输出M个初始地址信号; 所述第一译码电路用于接收所述M个初始地址信号,解码输出2M个第一地址信号;每个所述待测结构单元包括2M个待测结构,所述N个待测结构单元构成N×2M的待测结构阵列;每个所述第一地址信号用于选中所述N×2M的待测结构阵列中2M行或2M列中的一者,M为大于1的整数; 所述控制电路被配置为,在响应于所述第一地址信号选中所述N×2M的待测结构阵列中2M行或2M列中的一者后,响应于所述第二选择信号中相邻的两个有效位选中所述N个待测结构单元中的至少一者; 其中,所述第二信号生成单元包括N+1个或门,第一个及第N+1个所述或门的其中一个输入端作为所述第二信号生成单元的两个第二输入端,用于接收所述第二输入信号; 相邻所述或门的其余输入端两两连接,作为所述第二信号生成单元的N个第一输入端,用于接收所述第一选择信号。
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