长鑫存储技术有限公司汪恒获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116068858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111287054.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质是由汪恒设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质，该方法包括：确定光刻机的曝光强度；根据曝光强度，确定光刻机对应的目标预设区间；根据目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，目标预设区间与目标曝光剂量之间具有对应关系；利用光刻机对至少一个目标晶圆进行光刻处理。本申请能够提高光刻机的生产能力。
本发明授权一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：确定光刻机的曝光强度；根据所述曝光强度，确定所述光刻机对应的目标预设区间；根据所述目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，所述目标预设区间与所述目标曝光剂量之间具有对应关系；利用所述光刻机对所述至少一个目标晶圆进行光刻处理； 确定在至少一个曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系；根据所述至少一个曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，分别确定所述至少一个曝光剂量各自对应的预设区间；其中，所述预设区间用于指示在所述曝光剂量下的曝光时间保持不变； 其中，所述目标预设区间是根据所述曝光强度从若干个所述目标预设区间中确定出来的，每一个所述目标预设区间都表示一个所述曝光强度的范围； 所述对应关系表示对所述目标晶圆进行光刻处理所需的曝光剂量为目标曝光剂量时，在基于所述目标预设区间内的所述曝光强度对所述晶圆进行加工时，在所述目标预设区间内所述曝光强度的变化不会导致曝光时间的变化。
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