长鑫存储技术有限公司金松杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆键合设备和晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310234538.8，技术领域涉及：H10P72/70；该发明授权晶圆键合设备和晶圆键合方法是由金松杰设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆键合设备和晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种晶圆键合设备和晶圆键合方法，晶圆键合设备包括：可收缩膜层，用于将待键合晶圆吸附至吸附面或将吸附在所述吸附面的所述待键合晶圆释放；所述可收缩膜层包括多个相邻设置的吸附区，不同所述吸附区对应所述吸附面的不同区域；气动装置，与所述可收缩膜层远离所述吸附面的表面相连，用于调整所述吸附区内的气压，以控制所述吸附区的形变。本公开实施例至少可以提高晶圆键合的质量。
本发明授权晶圆键合设备和晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合设备，其特征在于，包括： 可收缩膜层，用于将待键合晶圆吸附至吸附面或将吸附在所述吸附面的所述待键合晶圆释放；所述可收缩膜层包括多个相邻设置的吸附区，不同所述吸附区对应所述吸附面的不同区域； 气动装置，与所述可收缩膜层远离所述吸附面的表面相连，用于调整所述吸附区内的气压，以控制所述吸附区的形变； 所述可收缩膜层包括相对设置的第一膜层和第二膜层； 所述第一膜层朝向所述气动装置设置，所述第一膜层具有第一气孔，所述气动装置通过所述第一气孔向所述吸附区充气或吸气； 所述吸附面设置在所述第二膜层，所述第二膜层具有第二气孔；所述第二气孔用于提供所述待键合晶圆表面的气流吸入所述吸附区的通道，或用于提供所述吸附区内的气流向外释放的通道。
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