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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利绝缘硅上锗结构衬底的键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310041030.6，技术领域涉及：H10W10/10；该发明授权绝缘硅上锗结构衬底的键合方法是由任慧雪;伍绍腾;骆军委设计研发完成，并于2023-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘硅上锗结构衬底的键合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造及微电子器件领域，具体涉及一种绝缘硅上锗结构衬底的键合方法，包括：在第一晶圆和第二晶圆表面分别生长第一介质层和第二介质层；对第一介质层和第二介质层表面进行等离子体处理，然后用水浸润并吹干；将等离子体处理后的第一介质层和第二介质层对准进行键合；对第二晶圆进行减薄和刻蚀，形成绝缘体上锗结构；对绝缘体上锗结构减薄处理和抛光处理，获得绝缘硅上锗结构衬底。本发明用等离子体轰击代替传统的化学机械抛光方式来降低介质层表面的粗糙度，实现键合界面的高度平坦化该方法可以对晶圆进行批量化处理，提高了产业化生产效率，同时降低了生产成本。

本发明授权绝缘硅上锗结构衬底的键合方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘硅上锗结构衬底的键合方法，包括： 提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括至少单面抛光的硅晶圆，所述第二晶圆包括在硅衬底上外延锗的晶圆； 在第一晶圆的抛光面和第二晶圆的外延锗表面分别生长第一介质层和第二介质层； 对所述第一介质层和所述第二介质层各自的表面进行等离子体处理，以对所述第一介质层和所述第二介质层各自的表面进行平坦化处理，然后用水浸润并吹干；其中，所述等离子处理包括通过等离子体对所述第一介质层和所述第二介质层的表面进行至少一次轰击，且最后一次对所述第一介质层和所述第二介质层的表面轰击采用的等离子体为氧等离子体，所述等离子体功率为10W～300W，气体流量为10～300mlmin； 将等离子体处理后的所述第一介质层和所述第二介质层对准并靠近，直至所述第一介质层与所述第二介质层粘合在一起；对粘合在一起的所述第一介质层和所述第二介质层进行退火键合； 对第二晶圆进行减薄和刻蚀，形成绝缘体上锗结构； 对所述绝缘体上锗结构减薄处理和抛光处理，获得绝缘硅上锗结构衬底。

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